中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海200050
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5 μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3 μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2.5 μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2.9 μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6 μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.
半导体激光器 光电探测器 磷化铟基 无锑 气态源分子束外延 semiconductor lasers photodetectors InP-based antimony-free gas source MBE
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海200050
采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In0.53Ga0.47As数字合金三角形势阱和张应变的In0.43Ga0.57As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下，激光器的峰值波长达到1.94μm，对应的阈值电流密度为2.58kA/cm2.随着温度升高，激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象，这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
数字合金 量子阱 分子束外延 digital alloy quantum well molecular beam epitaxy
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海200050
采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中, 二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成, 然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法, 曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显影, 而曝光强度最弱区域的光刻胶则可以完全被保留下来.通过调节入射角, 可以方便地调节二维结构的周期.利用此方法, 在相对较大的面积上制备了不同周期的二维结构, 二维结构具有很好的均匀性和重复性.文章对有关的工艺参数进行了详细讨论.
全息光刻 二维光子晶体 柱形 二次显影 holographic lithography two dimensional photonic crystals column shape double developments
1 State Key Lab. of Function. Mater. for Inform., Shanghai Institute of Microsyst. and Inform. Technol., CASs, Shanghai 200050, CHN
2 Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, CHN
State Key Lab. of Function. Mater. for Inform., Shanghai Institute of Microsyst. and Inform. Technol., CASs, Shanghai 200050, CHN
半导体光子学与技术
2004, 10(3): 208
State Key Lab. of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsyst. and Inform. Technol., Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, CHN
State Key Lab.of Function. Mater. for Inform., Shanghai Institute of Microsyst. and Inform. Technol., CAS, Shanghai 200050, CHN
State Key Lab.of Function.Mater.for Inform., Shanghai Institute of Microsyst. and Inform. Technol., CAS,Shanghai 200050, CHN
State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, CHN
